[发明专利]具有加以激光退火的单个TMR膜的磁性传感器阵列及其表征在审
| 申请号： | 202080007183.3 | 申请日： | 2020-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN113316725A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 郑元凯;毛明;D·毛里;胡志清;钱震中 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 袁策 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开整体涉及具有四个电阻器的惠斯通电桥阵列。每个电阻器包括多个TMR膜。每个电阻器具有相同的TMR膜。两个电阻器的这些TMR膜具有参考层，这些参考层相对于另外两个电阻器的这些TMR膜具有反平行的磁性取向。为了确保该反平行磁性取向，这些TMR膜全部同时形成并且同时在磁场中退火。此后，两个电阻器的这些TMR膜在磁场中第二次退火，而另外两个电阻器的这些TMR膜不第二次退火。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 加以 激光 退火 单个 tmr 磁性 传感器 阵列 及其 表征 | ||
【主权项】：
暂无信息
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