[发明专利]包括高介电常数帽盖层的磁阻存储器设备及其制造方法在审
| 申请号： | 202080007195.6 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113330592A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | B·普拉撒度;M·凯里;A·卡利佐夫;B·特里斯 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了磁电或磁阻存储器单元，这些磁电或磁阻存储器单元包括位于自由层和介电帽盖层之间的高介电常数介电帽盖层和/或非磁性金属粉尘层中的至少一者。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 介电常数 盖层 磁阻 存储器 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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