[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202080007233.8 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113316852A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 原田祐一;野口晴司;小宫山典宏;伊仓巧裕;樱井洋辅 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;周春燕 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，具备与栅电极电连接的多个栅极沟槽部、以及与发射电极电连接的多个虚设沟槽部，所述半导体装置具备：第一沟槽组，其包括一个栅极沟槽部、以及与所述栅极沟槽部相邻并且彼此相邻的两个虚设沟槽部；以及第二沟槽组，其包括彼此相邻的两个栅极沟槽部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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