[发明专利]用于沉积半导体材料的包括旋转元件的反应室在审
| 申请号： | 202080007290.6 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN113227448A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 弗朗西斯科·科里亚;D·克里帕;毛里利奥·梅斯基亚;徳田雄一郎 | 申请（专利权）人： | 洛佩诗公司;株式会社电装 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C30B25/08;C30B23/00;C30B23/06 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;杨明钊 |
| 地址： | 意大利米*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 反应室(100)被设计用于反应器(100)，反应器用于在基底上沉积半导体材料的层；反应室包括管(110)和注射器(20)以及保持器(30)，管(110)由石英制成并且具有圆柱形或棱柱形的形状并且围绕反应和沉积区；注射器(20)被布置成将前体气体注入反应和沉积区；保持器(30)被布置成在沉积过程期间支撑在反应和沉积区中的基底；石墨基座元件(10、40、50)位于管(110)的内部，用于加热反应和沉积区以及在反应和沉积区内的部件；感应器系统(60、70)位于管(110)外部，用于通过电磁感应向基座元件(10、40、50)提供能量；呈圆柱形管或棱柱形管的形式的旋转元件(80)位于反应和沉积区内部并且围绕注射器(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 半导体材料 包括 旋转 元件 反应 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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