[发明专利]一种半导体发光元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202080007340.0 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113228310A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 林宗民;黄苡叡;张中英;邓有财 | 申请（专利权）人： | 泉州三安半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362343 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出一种LED芯片及其制作方法，通过激光减薄LED芯片的衬底，然后进行隐形切割将芯片分离开。所述LED芯片的衬底背面具有激光减薄衬底过程中形成的粗化结构。本发明可解决现有化学机械研磨工艺减薄透明衬底厚度至小于80μm时出现的翘曲严重，边缘崩边引起的破片问题；同时所述LED芯片的衬底表面具有激光减薄衬底过程形成的粗化结构，可增强出光，提升发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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