[发明专利]一种微发光二极管在审
| 申请号： | 202080007481.2 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN114450810A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 李水清;杜伟华;赖昭序;邓和清 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明提出一种微发光二极管，该微发光二极管至少包含N型层、过渡层、发光层和P型层。其中过渡层，其结构沿着生长方向，包含第一过渡层、第二过渡层、第三过渡层。过渡层带隙介于N型层和发光层之间，定义N型层的带隙为Egn、第一过渡层的带隙为Eg1、第二过渡层的带隙为Eg2、第三过渡层的带隙为Eg3、发光层的带隙为Ega，满足以下关系：Egn≥Eg1＞Eg2＞Eg3＞Ega。定义过渡层总厚度与发光层总厚度比为x，x满足以下关系：5≤x≤150。利用该结构制备的微发光二极管，可实现峰值光电转换效率对应电流密度小于0.1A/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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