[发明专利]场效应晶体管、其制造方法及使用其的无线通信装置在审
| 申请号： | 202080008337.0 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN113272942A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 河井翔太;清水浩二;村濑清一郎 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/288;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/417;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的课题是提供能够用简便的工艺且以低成本制造并且在检查时容易区分布线与源·漏电极的场效应晶体管，主旨是场效应晶体管，其在基板上具备：源电极、漏电极及栅电极；与所述源电极及漏电极接触的半导体层；与所述源电极及漏电极中的各自电连接的布线；和使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层，其中，所述源电极与所述布线的连接部形成连续相，且所述漏电极与所述布线的连接部形成连续相，构成所述连续相的部分至少包含导电性成分和有机成分，所述布线在波长600nm以上且900nm以下的区域中的光反射率的累计值高于所述源电极及漏电极在波长600nm以上且900nm以下的区域中的光反射率的累计值。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 使用 无线通信 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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