[发明专利]用于耐高电压高速接口的具有低漏电流的电过应力保护在审
申请号: | 202080008564.3 | 申请日: | 2020-01-07 |
公开(公告)号: | CN113272956A | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | J·萨尔塞多;S·帕萨萨拉希;E·博世 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体国际无限责任公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/04 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张丹 |
地址: | 爱尔兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 提供具有低漏电流和低电容的耐高压电过应力保护。在一个实施方案中,半导体管芯包括:信号焊盘、电连接所述信号焊盘的内部电路、电连接隔离节点的电源钳位、和电连接在所述信号焊盘和所述隔离节点之间的一个或多个隔离阻断电压装置。所述一个或多个隔离阻断电压装置可操作以将所述信号焊盘与所述电源钳位的电容隔离。在另外的实施方案中,半导体管芯包括信号焊盘、接地焊盘、高电压/高速电连接所述信号焊盘的内部电路、和在信号焊盘和接地焊盘之间的第一晶闸管和第二晶闸管。 | ||
搜索关键词: | 用于 电压 高速 接口 具有 漏电 应力 保护 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的