[发明专利]利用无金属配体的金属原子层蚀刻及沉积设备和处理在审
| 申请号： | 202080009348.0 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN113316839A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 张贺;金润祥;彭东羽 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23F4/00;H01L21/768;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于进行金属ALE处理以蚀刻衬底的表面的ALE系统包含：处理室、衬底支撑件、热源、输送系统和控制器。衬底支撑件被设置于所述处理室中且支撑所述衬底。所述输送系统将配体或有机物质供给至所述处理室中。所述控制器控制所述输送系统与所述热源以进行各向同性金属ALE处理，所述各向同性金属ALE处理包含：在所述各向同性金属ALE处理的重复期间，进行原子吸附与脉冲热退火；在所述原子吸附期间，将所述表面暴露于所述配体或所述有机物质，其中所述配体或所述有机物质并无金属前体且被选择性地吸附以在所述表面中形成金属络合物；以及在所述脉冲热退火期间，脉冲所述热源多次以从所述衬底移除所述金属络合物。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 金属 原子 蚀刻 沉积 设备 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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