[发明专利]磁阻效应元件、存储元件和电子装置在审
| 申请号： | 202080010573.6 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113330593A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 苅屋田英嗣 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01F10/08;H01F10/26;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种磁阻效应元件，该磁阻效应元件包括依次堆叠的第一电极(10)、磁化方向固定的磁化固定层(120)、第一绝缘层(120)、磁化方向可变的磁化自由层(140)、第二绝缘层(150)和第二电极(160)，其中，磁化固定层包括设置在第一电极上的第一磁性体(121)和隔着非磁性金属层(122)设置在第一磁性体上的第二磁性体(123)，第一磁性体和第二磁性体中的至少一个是通过在非磁性层(121A，123B)的正上方设置磁性层(121B，123C)而构成的，并且该非磁性层(123B)或磁性层(121B)具有交替地堆叠有不同类型的材料的多层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 存储 电子 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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