[发明专利]摄像元件和半导体元件在审

专利信息
申请号: 202080010658.4 申请日: 2020-03-13
公开(公告)号: CN113348535A 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 三宅慎一;山下浩史 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L21/3205 分类号: H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/00;H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/146;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336;H01L29/78;H04N5/3745
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 房岭梅;姚鹏
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据本公开的实施例的摄像元件包括第一半导体基板和隔着绝缘层层叠在所述第一半导体基板上的第二半导体基板。所述第一半导体基板包括光电转换部和保持从所述光电转换部传输的电荷的电荷保持部。所述第二半导体基板包括产生与保持在所述电荷保持部中的电荷电平相对应的电压信号的放大晶体管。所述放大晶体管包括在与所述第二半导体基板的前表面相交的平面中的沟道区、源极区和漏极区,并且包括隔着栅极绝缘膜与沟道区相对并电耦合到所述电荷保持部的栅极电极。
搜索关键词: 摄像 元件 半导体
【主权项】:
暂无信息
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