[发明专利]有源处理的栅极触点在审
| 申请号： | 202080011467.X | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN113383426A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 高拉夫·塔雷贾;凯万·卡什菲扎德;王希昆;王安川;桑杰·纳塔拉扬;肖恩·M·索特;吴冬 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件制造处理包括：在具有多个开口的基板上形成栅极，每个栅极具有第一金属的导电层与第一介电材料的栅极介电层，以第二介电材料部分地填充所述开口，在不破坏真空的处理系统中的基板上形成第一结构，在第一结构上方沉积第三介电材料，及形成所述栅极的平坦化表面与安置设置在第一结构上方的第三介电材料的表面。形成第一结构包括：通过去除每个开口内的第二介电材料的第二部分而形成沟槽，通过以第二金属部分地填充所述沟槽而在所述沟槽中形成凹陷有源区，在每个凹陷有源区上方形成衬垫，及在各衬垫上方形成金属盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 处理 栅极 触点 | ||
【主权项】：
暂无信息
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