[发明专利]处理室冷却系统在审
申请号: | 202080011967.3 | 申请日: | 2020-01-29 |
公开(公告)号: | CN113396472A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 凯文·弗林;特拉维斯·本茨;亚历山大·查尔斯·马卡奇;克里斯多夫·维文桑 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F25B9/00;F25B7/00;F25B29/00;F25B21/02;H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种装置。该装置包括处理室。衬底支撑件在处理室内,其中衬底支撑件用于与衬底热接触。冷却系统冷却衬底支撑件。冷却系统包括第一制冷系统。第一制冷系统包括用于从制冷系统外部的第一制冷剂源接收第一制冷剂的第一制冷剂入口,其中第一制冷剂处于第一压强下;第一节气门,其中第一节气门使得第一制冷剂能受控膨胀,其中第一制冷剂的膨胀冷却第一制冷剂;第一传热系统,其用于吸收热量并将热量传递给冷却的第一制冷剂;以及第一制冷剂返回件,其用于将来自第一制冷系统的在第二压强下的第一制冷剂引导远离第一制冷系统。 | ||
搜索关键词: | 处理 冷却系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造