[发明专利]利用气体处理及脉冲化的离子束蚀刻在审
| 申请号： | 202080012108.6 | 申请日： | 2020-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN113383435A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 尹石敏;万志民;黄朔罡;李惟一;高里·钱纳·卡玛蒂 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 位于衬底上的磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠件的一或更多层通过离子束蚀刻而进行蚀刻。惰性气体的离子束产生在离子束源室中并连续地或以脉冲的方式施加至衬底。在不穿过离子束源室的情况下，反应性气体直接流入衬底所在的处理室内，其中反应性气体被脉冲化或连续地提供至处理室内。反应性气体可以包括具有羟基的含碳气体，其朝向衬底流动以限制来自离子束蚀刻的溅射原子再沉积于衬底的暴露表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 气体 处理 脉冲 离子束 蚀刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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