[发明专利]用于等离子体纳米天线光束移相器和转向器的装置在审
申请号: | 202080012436.6 | 申请日: | 2020-11-24 |
公开(公告)号: | CN113383429A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 安东诺·卡拉·莱西娜;皮埃尔·西蒙·约瑟夫·贝里尼;罗拉·拉蒙诺;多米尼克·约翰·古德威尔;艾瑞克·伯尼尔 | 申请(专利权)人: | 华为技术加拿大有限公司;渥太华大学 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;B82Y20/00;G01S7/481;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人: | 时林;肖鹂 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种用于产生光学相位变化的像素,该像素包括透明电绝缘体;第一电导体,设置在该透明电绝缘体上,包括天线组件和连接器组件;电绝缘体,设置在该第一电导体上;透明半导体,设置在该电绝缘体上;以及第二电导体,设置在该透明半导体上。该透明半导体足够厚,以防止该透明半导体与该第二电导体之间的界面处发生等离子体共振。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子体 纳米 天线 光束 移相器 转向器 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的