[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 202080012827.8 | 申请日： | 2020-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN113396512A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 若叶昌布;比嘉康贵 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;G02B6/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张远 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种能够抑制特性的劣化、可靠性的降低的半导体元件。半导体元件具备：台面部，其具有半导体层叠构造，在给定方向上延伸；延伸部，其隔着分别设置于台面部的两侧的沟道槽而沿着台面部延伸；绝缘部，其包含绝缘性材料，分别设置于沟道槽；以及导电部，其设置于台面部的上侧，绝缘部的至少一个与台面部密接且在台面部的延伸方向上的至少一部分中，在与延伸部之间形成有空隙，遍及至少一个绝缘部和台面部而设置有导电部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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