[发明专利]磁性存储器装置及形成方法在审
| 申请号： | 202080013786.4 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113424331A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 薛林;朴赞道;安在洙;曾信伟;马亨德拉·帕卡拉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容的实施方案大体上涉及于一种存储器装置。更具体地，本文描述的实施方案大体上涉及SOT‑MRAM。SOT‑MRAM包括具有磁性储存层的存储器单元，该磁性储存层与SOT层并排设置并接触SOT层。并排的磁性储存层和SOT层可通过使流过SOT层的电流的方向反转来实现磁性储存层的切换，而无需任何附加条件。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080013786.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有高水含量的挤出皂条
- 下一篇：向包含硅凝胶的层压材料中引入穿孔的方法
