[发明专利]具有错误检测功能的存储装置、半导体装置以及电子设备在审
| 申请号： | 202080014345.6 | 申请日： | 2020-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN113424310A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 国武宽司;大贯达也;热海知昭;加藤清 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有错误检测功能且其每单位面积的可存储数据量大的存储装置。使用形成在半导体衬底上的晶体管构成存储装置的驱动电路，使用薄膜晶体管构成存储装置的存储单元。可以在半导体衬底的上方层叠设置其中使用薄膜晶体管构成存储单元的层，可以增大每单位面积的可存储数据量。另外，因为可以使用薄膜晶体管构成存储装置所包括的外围电路的一部分，所以使用薄膜晶体管构成错误检测电路，将其层叠设置在半导体衬底的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 错误 检测 功能 存储 装置 半导体 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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