[发明专利]半导体激光装置以及半导体激光元件在审
| 申请号： | 202080015701.6 | 申请日： | 2020-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN113454857A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 小野将之;左文字克哉;西川透;浅香浩;西辻充;山田和弥 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/0234 | 分类号： | H01S5/0234;H01S5/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体激光装置(200)具备以结倒置的方式来安装的半导体激光元件(100)，半导体激光元件(100)包括分离形成在基板(1)上的第1发光元件区域(81)和第2发光元件区域(82)。在半导体激光元件(100)，第1发光元件区域(81)和第2发光元件区域(82)分别具有以n型半导体层(2)、活性层(3)、p型半导体层(4)的顺序依次层叠的层叠结构体(500)。第1发光元件区域(81)具有被配置在n型半导体层(2)上的第1电极膜(10a)。第2发光元件区域(82)具有被p型半导体层(4)上的第2电极膜(11b)。第1电极膜(10a)第2电极膜(11b)电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 以及 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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