[发明专利]具有通过鳍状桥接区耦合的垂直堆叠的纳米片的晶体管沟道在审
| 申请号： | 202080016969.1 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113491014A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;J.弗鲁吉尔;C.朴;E.诺瓦克;亓屹;程慷果;N.罗贝特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及用于提供新颖的场效应晶体管(FET)架构的技术，该FET架构包括中心鳍状物区域和一个或多个垂直堆叠的纳米片。在本发明的非限制性实施例中，非平面沟道区被形成为具有第一半导体层(208)、第二半导体层(206)以及位于第一半导体层(208)与第二半导体层(206)之间的鳍状桥接层。形成所述非平面沟道区可以包括：在衬底(204)之上形成纳米片堆叠体；通过去除所述纳米片堆叠体的一部分来形成沟槽(502)；以及在所述沟槽(502)中形成第三半导体层(602)。所述第一半导体层(208)、所述第二半导体层(206)和所述鳍状桥区的外表面限定所述非平面沟道区的有效沟道宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通过 鳍状桥接区 耦合 垂直 堆叠 纳米 晶体管 沟道 | ||
【主权项】：
暂无信息
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