[发明专利]等离子体处理腔室中用于高偏压射频(RF)功率应用的静电卡盘在审
| 申请号： | 202080017081.X | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113474876A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 赵在龙;S·拉乌夫;P·田 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H02N13/00;H01J37/32;B23Q3/15;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 史起源;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 此处提供静电卡盘的实施例。在一些实施例中，一种在基板处理腔室中使用的静电卡盘，包括：板，具有第一侧和与第一侧相对的第二侧；第一电极，嵌入板中靠近第一侧；第二电极，嵌入板中靠近第二侧；多个导电元件，将第一电极耦合至第二电极；第一气体通道，设置于板内并且介于第一电极及第二电极之间；气体入口，从板的第二侧延伸至第一气体通道；以及多个气体出口，从板的第一侧延伸至第一气体通道。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 腔室中 用于 偏压 射频 rf 功率 应用 静电 卡盘 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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