[发明专利]半导体封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202080018025.8 申请日: 2020-12-28
公开(公告)号: CN113544844A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 沈竞宇;赵起越;周春华;杨超;姚卫刚;魏宝利 申请(专利权)人: 英诺赛科(苏州)科技有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367;H01L21/56
代理公司: 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 代理人: 王琴;曹玉存
地址: 215211 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 提供一种具有改进的热耗散能力和低封装轮廓的倒装芯片半导体封装。所述封装包括具有多个热耗散翼片和多个热耗散引线的散热器。所述热耗散引线连接到衬底的多个导热通孔,以便提供从所述散热器到所述衬底的导热路径,以及支撑所述散热器以缓解由所述散热器施加到半导体芯片的压缩应力。所述封装进一步包括封装层,所述封装层被配置成覆盖所述散热器的热耗散引线并暴露所述散热器的所述热耗散翼片。
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
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