[发明专利]具有劣化补偿的高电压移位器在审
申请号: | 202080018036.6 | 申请日: | 2020-01-27 |
公开(公告)号: | CN113544778A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 山田重和 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C29/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文中论述用于补偿高电压(HV)移位器中的晶体管的劣化的系统及方法,所述高电压(HV)移位器经配置以将输入电压传送到存取线,例如全局字线。存储器装置的实施例包括存储器单元群组,及包含信号传送电路及补偿器电路的HV移位器电路。所述信号传送电路包含用于将高电压输入传送到存取线的P沟道晶体管。所述补偿器电路可通过在指定时间段内将高于电源电压(Vcc)的支持电压耦合到所述信号传送电路来将控制信号提供到所述信号传送电路来补偿所述P沟道晶体管的劣化。使用所述经传送高电压以对所述存取线进行充电以选择性地读取、编程或擦除存储器单元。 | ||
搜索关键词: | 具有 补偿 电压 移位 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202080018036.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。