[发明专利]带有半λ介电层的横向激励的薄膜体声波谐振器在审
| 申请号： | 202080018468.7 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113615083A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 温切斯拉夫·扬捷切夫 | 申请（专利权）人： | 谐振公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/17;H03H9/25;H03H9/56;H03H9/64 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了声波谐振器器件和滤波器。一种声波谐振器器件，包括：一基板，具有一表面；一单晶压电板，具有正面和背面，所述背面附接到所述基板的表面上，除了一部分的压电板未附接到所述基板的表面上，其中这部分的压电板形成了隔膜，所述隔膜跨越所述基板中的空腔。一叉指换能器(IDT)，在所述单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在所述隔膜上。所述压电板和IDT配置为使得施加到IDT的射频信号激发所述隔膜中的剪切主声模。一半λ介电层，在所述压电板的正面和背面中的其中一面上形成。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 介电层 横向 激励 薄膜 声波 谐振器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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