[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202080020164.4 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113557608A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;掛端哲弥;佐藤优一;芝崎笃;种村和幸;广濑贵史 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/108;H01L27/1156 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张智慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种晶体管特性偏差小的半导体装置。该半导体装置包括如下制造步骤：形成第一至第三绝缘体；在第三绝缘体上依次形成第四绝缘体、第一氧化膜、第二氧化膜、第三氧化膜、第一导电膜、第一绝缘膜、第二导电膜；将其加工为岛状而形成第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层、第二导电层；去除第二导电层；在第四绝缘体、第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层上形成第五及第六绝缘体；通过形成到达第二氧化物的开口，形成第三氧化物、第四氧化物、第一导电体、第二导电体、第七绝缘体、第八绝缘体；在开口中形成第五氧化物、第九绝缘体、第三导电体，其中第五绝缘体利用偏压溅射法形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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