[发明专利]接合线在审
| 申请号： | 202080020165.9 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113557595A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 山田隆;西林景仁;榛原照男;小田大造;江藤基稀;小山田哲哉;小林孝之;宇野智裕 | 申请（专利权）人： | 日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天达共和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11586 | 代理人： | 张嵩;薛仑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种金属被覆Al接合线，在采用了金属被覆Al接合线的半导体装置工作的高温状态下，充分地得到接合线的接合部的接合可靠性。该接合线的特征在于，具有由Al或Al合金构成的芯线、以及在该芯线的外周由Ag、Au或包含它们的合金构成的被覆层，在垂直于导线轴的方向上的芯材截面中，相对于导线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜111＞的取向比率为30～90％。优选地，导线的表面粗糙度以Rz表示为2μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
