[发明专利]具有外延再生长在多晶硅之上的区域的光调制器在审
| 申请号： | 202080020638.5 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113557469A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 阿列克谢·V·贝尔特;马克·A·韦伯斯特 | 申请（专利权）人： | 思科技术公司 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 杨佳婧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例提供了一种光调制器，该光调制器包括：第一硅区域；多晶硅区域；栅极氧化物区域，该栅极氧化物区域将第一硅区域接合到多晶区域的第一侧；以及第二硅区域，该第二硅区域形成在多晶硅区域的与第一侧相对的第二侧上，从而在第一硅区域、多晶区域、栅极氧化物区域和第二硅区域之间限定光调制器的有源区域。多晶硅区域的厚度可以介于0纳米与60纳米之间，并且该多晶硅区域可以被形成或图案化到所期望的厚度。第二硅区域可以从多晶硅区域外延生长并且被与多晶硅区域分开地或与多晶硅区域相结合地图案化为期望的横截面形状。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 外延 再生 多晶 之上 区域 调制器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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