[发明专利]具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法以及支撑片形成用层叠膜及其制造方法在审
| 申请号： | 202080020997.0 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN113574665A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 矢羽田达也;谷口纮平;桥本慎太郎;尾崎義信 | 申请（专利权）人： | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具有支石墓结构，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片的周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片，且支撑片由热固性树脂组合物的固化物形成、或者包括由热固性树脂组合物的固化物形成的层、以及树脂层或金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 支石墓 结构 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 支撑 形成 层叠 | ||
【主权项】：
暂无信息
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