[发明专利]具有包括掩埋晶粒停止层的顶侧金属化结构的功率半导体装置在审
| 申请号： | 202080021107.8 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN113597680A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | S·萨布里;D·J·里施顿瓦尔纳;E·R·范布朗特;S·T·艾伦;B·胡尔 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/45;H01L29/40;H01L21/04;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置包括在宽带隙半导体层结构上延伸的多个栅极指。在栅极指上形成金属间电介质图案，所述金属间电介质图案包括覆盖相应栅极指的多个电介质指。在金属间电介质图案上以及在宽带隙半导体层结构的上表面的暴露部分上设置顶侧金属化。顶侧金属化包括在金属间电介质图案上以及在宽带隙半导体层结构的上表面的暴露部分上的第一导电扩散阻挡层、在第一导电扩散阻挡层的上表面上的导电接触层和掩埋在导电接触层内的晶粒停止层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包括 掩埋 晶粒 停止 金属化 结构 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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