[发明专利]处理条件选择方法、基板处理方法、基板制品制造方法、处理条件选择装置、计算机程序以及存储介质在审
申请号: | 202080021193.2 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN113614886A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 太田乔;高冈诚;江户彻;堀口博司 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 范胜杰;金慧善 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 处理条件选择方法包括步骤(S21)以及步骤(S22)。在步骤(S21)中,比较表示在对象物的多个测定位置分别测定出的多个厚度的分布的厚度图案(TM)与预先存储的多个参照图案(RP),根据规定规则从多个参照图案(RP)中确定与厚度图案(RM)相关度高的参照图案(RP)。在步骤(S22)中,取得与多个参照图案(RP)分别相关联的多个参照处理条件中的、与所确定的参照图案(RP)相关联的参照处理条件而作为对象物的处理条件。多个参照图案(RP)分别表示参照对象物的物理量的分布。多个参照处理条件分别表示过去对具有参照图案(RP)的参照对象物执行了处理时的处理条件。 | ||
搜索关键词: | 处理 条件 选择 方法 制品 制造 装置 计算机 程序 以及 存储 介质 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202080021193.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造