[发明专利]制造光电子半导体器件的方法及光电子半导体器件在审
| 申请号： | 202080021197.0 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113544864A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | M·R·贝林格;C·克莱姆 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/44 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一种实施方式中，该方法用于制造光电子半导体器件并且包括以下步骤：A）提供具有接触侧（20）的光电子半导体芯片（2），B）在所述接触侧（20）上产生涂层区域（21）和保护区域（22），C）将液体涂层材料（30）施加到接触侧（20）上，其中涂层材料（30）润湿所述涂层区域（21）并且不润湿所述保护区域（22），以及D）在所述涂层区域（21）上将所述涂层材料（30）固化为至少一个电接触结构（31），使得在按规定使用时穿过所述至少一个接触结构（31）地向所述半导体芯片（2）通电。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 光电子 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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