[发明专利]垂直腔面发射激光器件在审
| 申请号： | 202080021446.6 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113574751A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 朴城柱 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/343;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人： | 李英艳;玉昌峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一实施例的垂直腔面发射激光器件，包括：下镜；上镜，布置于所述下镜上方；活性区域，布置于所述下镜和所述上镜之间；下n型覆层，布置于所述活性区域和所述下镜之间；上n型覆层，布置于所述活性区域和所述上镜之间；高浓度掺杂的p型半导体层，布置于所述活性区域和所述上n型覆层之间；以及高浓度掺杂的n型半导体层，布置于所述高浓度掺杂的p型半导体层和所述上n型覆层之间而与所述高浓度掺杂的p型半导体层形成隧道接合。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 激光 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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