[发明专利]磁场传感器有效
| 申请号： | 202080021994.9 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN113574403B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | J-F·兰森;D·施莱夫利 | 申请（专利权）人： | 莱姆国际股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/00 | 分类号： | G01R33/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 瑞士普朗-*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁场传感器(2)，包括信号调节IC(4)和磁场传感器IC(6)，磁场传感器IC(6)被安装在信号调节IC(4)上并且被连接到信号调节IC。磁场传感器IC包括半导体衬底(13)，其具有设置在磁场传感器(2)的与信号调节IC相对的面向外的侧面(13a)上的传感器有源层(5)。传感器有源层(5)连接到导电通孔(9)，该导电通孔从所述面向外的侧面(13a)穿过半导体衬底延伸到面向信号调节IC的下侧(13b)，导电通孔(9)的下侧经由包括导电珠连接(10)和焊料连接(12)的芯片上芯片互连(8)电互连到信号调节IC(4)上的连接焊垫(3)。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
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