[发明专利]碳同素异形体表面经改性的物质的制造方法、碳同素异形体表面导入有官能团的物质的制造方法、冷冻电子显微镜用栅格的制造方法、有机物质、冷冻电子显微镜用栅格在审
| 申请号： | 202080022919.4 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN113646263A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 井上豪;浅原时泰;大久保敬;岩崎宪治;宫崎直幸;广濑未果;中川敦史;高木淳一;土井健史;安达宏昭 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | C01B32/05 | 分类号： | C01B32/05;C01B11/02;C01B32/156;C01B32/168;C01B32/194;H01J37/20 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 王刚;龚敏 |
| 地址： | 日本国大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳同素异形体表面经改性的物质的制造方法，在利用冷冻电子显微镜进行的结构分析中，能够抑制或防止结构分析对象物质的不均匀分布、取向性的偏差等。为了实现上述目的，本发明的碳同素异形体表面经改性的物质的制造方法的特征在于，包括使碳同素异形体表面与卤素氧化物自由基进行反应的表面处理工序，通过上述表面处理工序对上述碳同素异形体表面进行改性。 | ||
| 搜索关键词： | 同素异形体 表面 改性 物质 制造 方法 导入 官能团 冷冻 电子显微镜 栅格 有机 | ||
【主权项】：
暂无信息
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