[发明专利]晶体氧化物薄膜、层叠体以及薄膜晶体管有效
申请号: | 202080023273.1 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN113614276B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 川岛绘美;井上一吉;大山正嗣;柴田雅敏 | 申请(专利权)人: | 出光兴产株式会社 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C30B29/22;H01L29/786 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 陈亦欧;毛立群 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明涉及一种晶体氧化物薄膜,其包含In元素、Ga元素以及Ln元素,In元素为主成分,Ln元素是从La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中选择的一种以上的元素,平均晶体粒径D |
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搜索关键词: | 晶体 氧化物 薄膜 层叠 以及 薄膜晶体管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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