[发明专利]RF半导体装置和其制造方法在审
| 申请号： | 202080023328.9 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN113632210A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 朱利奥·C·科斯塔;迈克尔·卡罗尔;菲利普·W·梅森;小梅里尔·阿尔贝特·哈彻 | 申请（专利权）人： | QORVO美国公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 曲在丹 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种射频(RF)装置，该RF装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域、导热薄膜和第一模制化合物，装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于BEOL部分之上的前段制程(FEOL)部分。FEOL部分包含隔离区段和有源层，有源层被隔离区段围绕。热导率大于10W/m·K并且电阻率大于1E5Ohm‑cm的导热薄膜位于有源层与第一模制化合物之间。在本文中，在第一模制化合物与有源层之间不存在硅晶体。多层重新分布结构包含多个凸点结构，多个凸点结构位于多层重新分布结构的底部处并且电耦接到模制装置管芯的FEOL部分。 | ||
| 搜索关键词： | rf 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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