[发明专利]磁控等离子体成膜装置在审
| 申请号： | 202080023691.0 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113631752A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 森地健太;塘口直树;谷口刚志 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(14)和与成膜辊(14)相对配置的磁控等离子体单元(15)。磁控等离子体单元(15)具备：旋转靶(16)，其轴线在与成膜辊(14)的轴线相同的方向上延伸；和磁体单元(200)，其配置于旋转靶(16)的径向内侧。在下述中所求出的角度(θ)是30度以下。在旋转靶(16)的外周面上，朝向旋转靶(16)的圆周方向的一方向测定旋转靶(16)的磁通密度的切线方向分量。求出连结相当于磁通密度的最大的切线方向分量的点(MAX＿P)和旋转靶(16)的中心的线段(LS1)与连结相当于磁通密度的最小的切线方向分量的点(MIN＿P)和中心的线段(LS2)所成的角度(θ)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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