[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202080026801.9 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113661571A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 山路将晴;狩野太一;澄田仁志;伊藤秀昭 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/522;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，能够防止设置在半导体基板上的防反射膜的分解反应以及布线层的腐蚀等，从而能够提高可靠性。具备布线层(11)、设置在布线层(11)上的氮化钛层(21)、设置在氮化钛层(21)上的氮氧化钛层(22)、设置在氮氧化钛层(22)上的氧化钛层(23)、以及设置在氧化钛层(23)上的表面保护膜(31、32)，设置有贯通氮化钛层(21)、氮氧化钛层(22)、氧化钛层(23)以及表面保护膜(31、32)来使布线层(11)的一部分露出的开口部(11b)，布线层(11)的露出的一部分构成焊盘(11a)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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