[发明专利]包含重布层的半导体装置在审
| 申请号： | 202080026810.8 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN113661570A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 阿藤寛和;安森浩司 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/498;H01L23/48;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置可包含衬底及重布层。所述重布层可包含电介质材料及导电材料。通孔可延伸通过所述电介质材料。所述导电材料的第一区可从一行的第一横向侧连接到所述行中的通孔的第一子组，所述第一区占据所述行在所述第一横向侧上的宽度的一半以上。所述导电材料的第二区可从所述行的第二相对横向侧连接到所述行中的通孔的第二子组，所述第二区占据所述行在所述第二横向侧上的所述宽度的一半以上。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 重布层 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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