[发明专利]钴基合金制造物及其制造方法在审
| 申请号： | 202080026978.9 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN114466945A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王玉艇;今野晋也 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号： | C22C19/07 | 分类号： | C22C19/07;B22F10/28;B33Y10/00;B33Y70/00;B33Y80/00;B22F10/64;C22F1/10;B22F5/04;B22F5/00;F01D25/00;F01D9/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;胡玉美 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及的Co基合金制造物的特征在于，具有如下的化学组成：以质量％计含有0.08～0.25％的C和0.003～0.2％的N且C和N的合计为0.083～0.28％，含有0.1％以下的B和10～30％的Cr，含有5％以下的Fe和30％以下的Ni且Fe和Ni的合计为30％以下，含有W和/或Mo且W和Mo的合计为5～12％，含有3％以下的Al、0.5％以下的Si和0.5％以下的Mn，含有0.5～4％的除W和Mo以外的过渡金属且原子半径超过130pm的M成分，余量由Co和杂质构成；上述制造物是母相晶粒的多晶体，上述母相晶粒中形成有偏析晶胞，该偏析晶胞是上述M成分在边界区域偏析而成的，上述物品中存在该偏析晶胞的平均尺寸彼此不同的第1区域和第2区域，该第1区域中的上述偏析晶胞的平均尺寸在0.13μm以上1.3μm以下的范围内，该第2区域中的上述偏析晶胞的平均尺寸在0.25μm以上2μm以下的范围内，上述第2区域中的上述偏析晶胞的平均尺寸相对于上述第1区域中的上述偏析晶胞的平均尺寸的比为1.3以上。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 制造 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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