[发明专利]双钙钛矿在审
| 申请号： | 202080028389.4 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113678264A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 费利西亚诺·朱斯蒂诺;亨利·詹姆斯·施耐德;酒井信世;约戈斯·沃洛纳基斯 | 申请（专利权）人： | 牛津大学科技创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L51/46;G01D5/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李雪;姚开丽 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种包括化合物的光电材料，其中，该化合物包括：(i)一种或多种阳离子，A；(ii)一种或多种第一B阳离子，B |
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| 搜索关键词： | 双钙钛矿 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
