[发明专利]包括包含电解质的晶体管的半导体装置、电子系统及相关方法在审
申请号: | 202080029776.X | 申请日: | 2020-04-16 |
公开(公告)号: | CN113711373A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 高云飞;K·M·卡尔达;S·J·克拉梅尔;G·S·桑胡;S·C·潘迪;刘海涛 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 彭晓文 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种晶体管包括源极区域与漏极区域之间的沟道区域、邻近于所述沟道区域的电介质材料、邻近于所述电介质材料的电极及所述电介质材料与所述电极之间的电解质。还公开包括至少一个晶体管的相关半导体装置、相关电子系统及相关方法。 | ||
搜索关键词: | 包括 包含 电解质 晶体管 半导体 装置 电子 系统 相关 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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