[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202080030293.1 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113767478A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 小田洋平;泽田刚一 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 屏蔽电极(7)延伸设置至比栅极电极层(8)的顶端部靠外侧，除了该屏蔽电极与栅极电极层的底面之间以外、还在与栅极电极层的顶端部之间形成中间绝缘膜(9)。此外，在一个方向上，从栅极电极层的顶端部到屏蔽电极之间发挥绝缘功能的部分的距离即有效绝缘距离(Li)大于中间绝缘膜中的位于栅极电极层的底部的部分的厚度(Tb)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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