[发明专利]三维闪存及其操作方法在审
| 申请号： | 202080030718.9 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113728434A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 宋润洽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11573 | 分类号： | H01L27/11573;H01L29/792;H01L27/1157;H01L27/11582;G11C16/08;G11C16/30;H01L27/11556;H01L27/11548;G11C16/26;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种三维闪存。根据一个实施方式，该三维闪存具有升压面积被减小的结构、对其应用小块的结构、对其应用COP并且布线工艺被简化的结构、或对其应用对称的U形BiCs的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 闪存 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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