[发明专利]用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置有效

专利信息
申请号: 202080032836.3 申请日: 2020-03-07
公开(公告)号: CN113785411B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: M·海兰德;S·N·格宁;Z·王 申请(专利权)人: OTI照明公司
主分类号: H10K71/60 分类号: H10K71/60;H10K59/12;C09D5/00;C09D7/63;G02B1/14;G09F9/33
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 王琳;姚开丽
地址: 加拿大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种光电子装置,其包括:成核抑制涂层(NIC),所述NIC安置在所述装置的在其横向方面的第一部中的表面上;以及导电涂层,所述导电涂层安置在所述装置的在其所述横向方面的第二部中的表面上;其中在所述第一部中,所述导电涂层针对所述NIC的初始粘附概率显著小于针对所述表面的初始概率,使得所述第一部基本上缺乏所述导电涂层;并且其中所述NIC包括具有如下式(I)所展示的式等式的化合物。
搜索关键词: 用于 形成 成核 抑制 涂层 材料 结合 装置
【主权项】:
暂无信息
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