[发明专利]具有辅助栅极结构的功率半导体器件在审
| 申请号： | 202080034026.1 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113826205A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 弗洛林·乌德雷亚;马丁·阿诺德;洛伊佐斯·埃夫蒂米乌;焦尔贾·隆戈巴尔迪;保罗·瑞安 | 申请（专利权）人： | 剑桥企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/8252;H02M7/5387;H03K17/0814;H03K17/13;H03K17/30;H03K17/687 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及GaN技术中的功率半导体器件。本公开提出集成的辅助(双)栅极端子和下拉网络以实现具有高于2V的阈值电压、低栅极漏电流和增强的开关性能的常关(E模式)GaN晶体管。高阈值电压GaN晶体管具有高压有源GaN器件和低压辅助GaN器件，其中，高压GaN器件具有与集成的辅助低压GaN的源极(12)连接的栅极(10)晶体管和作为外部高压漏极端子(9)的漏极以及作为外部源极端子(8)的源极，而低压辅助GaN晶体管具有连接至漏极(第二辅助电极16)的用作外部栅极端子的栅极(第一辅助电极15)。在实施例中，用于关断高阈值电压GaN晶体管的下拉网络由附加的辅助低压GaN晶体管(34)以及与低压辅助GaN晶体管并联或串联连接的电阻元件形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 辅助 栅极 结构 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于剑桥企业有限公司，未经剑桥企业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080034026.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可动态配置的基板管理控制器
- 下一篇：用于制造结构元件的方法和结构元件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
