[发明专利]经由MOCVD形成掺杂结晶压电薄膜的方法和相关的掺杂结晶压电薄膜在审
| 申请号： | 202080034876.1 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN114207855A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 克雷格·莫;杰弗里·M·莱西奇;亚瑟·E·盖斯 | 申请（专利权）人： | 阿库斯蒂斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/18 | 分类号： | H01L41/18;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵兴华 |
| 地址： | 美国北卡罗来*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成压电膜的方法可以包括：在CVD反应室中提供晶片以及在晶片上形成氮化铝材料，氮化铝材料掺杂有选自IIA族或IIB族的第一元素E1并且掺杂有选自IVB族的第二元素E2以提供氮化铝材料，氮化铝材料包括使用X射线衍射(XRD)测量的在半高全宽(FWHM)处小于约1.5度至在FWHM处小于约10弧秒的结晶度。 | ||
| 搜索关键词： | 经由 mocvd 形成 掺杂 结晶 压电 薄膜 方法 相关 | ||
【主权项】：
暂无信息
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