[发明专利]利用可独立调整的基座的多站半导体处理

摘要

提供将材料沉积在多站沉积设备中的衬底上的方法和设备，所述多站沉积设备具有第一站和第二站。一种方法可以包括：将第一衬底提供至所述第一站的第一基座上；将第二衬底提供至所述第二站的第二基座上；以及对于沉积处理的第一部分，同时产生：当所述第一基座与所述第一站的第一喷头相隔第一距离时位于所述第一站处的第一等离子体，从而在所述第一衬底上沉积第一材料层；以及当所述第二基座与所述第二站的第二喷头相隔第二距离时位于所述第二站处的第二等离子体，从而在所述第二衬底上沉积第二材料层，其中所述第一距离不同于所述第二距离。