[发明专利]可调谐纳米柱和纳米间隙电极结构及其方法在审
申请号: | 202080035540.7 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN113826004A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | S·金;C·崔;保罗·莫拉 | 申请(专利权)人: | 罗斯威尔生命技术公司 |
主分类号: | G01N27/327 | 分类号: | G01N27/327;G01N27/30;C12Q1/6869;C12Q1/68;C12Q1/00 |
代理公司: | 重庆智鹰律师事务所 50274 | 代理人: | 唐超尘 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 纳米光刻的新方法提供了可用于分子电子传感器中的纳米级结构,诸如用于核苷酸测序。在各个实施方式中,可调谐纳米柱在多对电极上方的抗蚀剂层中纳米图案化的孔中生长,所得纳米柱充当埋在抗蚀剂层下方的电极的垂直延伸。纳米柱的暴露顶面尺寸有限,因而在一对纳米柱中的纳米柱之间提供单个或至多几个桥分子的受控结合。 | ||
搜索关键词: | 调谐 纳米 间隙 电极 结构 及其 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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