[发明专利]III-氮化物器件的集成设计在审
| 申请号： | 202080036199.7 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN113826206A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吴毅锋;约翰·柯克·格里特尔斯 | 申请（专利权）人： | 创世舫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/778;H01L25/06;H01L29/20;H01L29/417;H01L25/07;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括III‑N器件和场效应晶体管(FET)。III‑N器件包括III‑N材料结构的第一侧上的衬底，III‑N材料结构的与衬底相对的侧上的第一栅极、第一源极和第一漏极。FET包括第二半导体材料结构、第二栅极、第二源极和第二漏极，并且第二源极在第二半导体材料结构的与第二漏极相对的侧上。FET的第二漏极直接接触且电连接到III‑N器件的第一源极，且通孔穿过暴露出衬底的顶表面的部分的III‑N材料结构的部分形成，且第一栅极经由通孔电连接到衬底。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 器件 集成 设计 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
